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真空開(kāi)關(guān)真空度測(cè)試儀-ZKD-III

真空開(kāi)關(guān)真空度測(cè)試儀-ZKD-III

簡(jiǎn)要描述:

真空開(kāi)關(guān)真空度測(cè)試儀-ZKD-III
將滅弧室的兩觸頭拉開(kāi)一定的開(kāi)距,施加脈沖高壓,將新型電磁線圈環(huán)繞于滅弧室外側(cè),向線圈通以大電流,從而在滅弧室內(nèi)產(chǎn)生與高壓同步的脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)和強(qiáng)電場(chǎng)的作用下,滅弧室中的電子做螺旋運(yùn)動(dòng),并與殘余氣體分子發(fā)生碰撞電離,所產(chǎn)生的離子電流與殘余氣體密度即真空度近似成比例關(guān)系

更新時(shí)間:2024-11-29

真空開(kāi)關(guān)真空度測(cè)試儀-ZKD-III

真空開(kāi)關(guān)真空度測(cè)試儀-ZKD-III

一、序言:
隨著我國(guó)配電系統(tǒng)“無(wú)油化"改造的順利實(shí)施,真空斷路的使用日趨普及。
真空滅弧室作為真空斷路器的核心部件,真空壓強(qiáng),直接影響真空滅弧室的性能,為保證滅弧室的可靠工作,我國(guó)部標(biāo)(JB)技術(shù)中規(guī)定其真空壓強(qiáng)的允許*大值為1.33×10-2pa國(guó)標(biāo)(GB)中為6.6×10-2pa。盡管現(xiàn)代電真空技術(shù)已能保證它們有10年及至20年的真空壽命。但是由于我國(guó)目前的生產(chǎn)條件和工藝水平,沿不能*保證生產(chǎn)的真空滅弧室不漏氣。同時(shí)我國(guó)現(xiàn)有真空滅弧室觸頭材料大多采用cucr,雖然cr的吸氣性強(qiáng),但當(dāng)采用傳統(tǒng)的粉末冶金法來(lái)制備cucr材料時(shí),材料的含氣量還是比較高的。另外,由于制造時(shí)焊接工藝的質(zhì)量或運(yùn)輸過(guò)程中,受震動(dòng)或安裝操作上的不當(dāng)?shù)仍?,造成漏氣的可能性也是存在的。因此,真空滅弧室制成出廠以后,并不能永遠(yuǎn)維持真空的壓強(qiáng),而是有一定的真空壽命。隨著時(shí)間的增加,滅弧室的真空度將降低。經(jīng)過(guò)嚴(yán)格電真空工藝處理的真空滅弧室,影響真空度的主要因素為工作表面的放氣與吸氣過(guò)程。隨著工作時(shí)間的增長(zhǎng),滅弧室的微漏氣也會(huì)導(dǎo)致其真空度下降。使絕緣和開(kāi)斷性能降低,發(fā)展到一定程度,真空斷路器將喪失其工作能力。滅弧室真空狀況直接影響電力系統(tǒng)運(yùn)行的安全性。因此,對(duì)服役真空滅弧室真空度測(cè)定尤為重要。
二、測(cè)試原理:
將滅弧室的兩觸頭拉開(kāi)一定的開(kāi)距,施加脈沖高壓,將新型電磁線圈環(huán)繞于滅弧室外側(cè),向線圈通以大電流,從而在滅弧室內(nèi)產(chǎn)生與高壓同步的脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)和強(qiáng)電場(chǎng)的作用下,滅弧室中的電子做螺旋運(yùn)動(dòng),并與殘余氣體分子發(fā)生碰撞電離,所產(chǎn)生的離子電流與殘余氣體密度即真空度近似成比例關(guān)系。對(duì)于不同的真空管型號(hào)(管型),由于其結(jié)構(gòu)不同,在同等觸頭開(kāi)距、同等真空度、同等電場(chǎng)與磁場(chǎng)的條件下,離子電流間的對(duì)應(yīng)關(guān)系曲線。當(dāng)測(cè)知離子電流后,就可以通過(guò)查詢管型的離子電流一真空度曲線獲得該管型的真空度。這一過(guò)程由計(jì)算機(jī)自動(dòng)完成。
三、性能指標(biāo):
1、適用范圍:各種型號(hào)、電壓等級(jí)及材料真空管
2、開(kāi)關(guān)天距:正常使用開(kāi)距
3、檢驗(yàn)范圍:100-10-6pa
4、測(cè)量精度:優(yōu)于5%
5、使用環(huán)境:-20℃-+40℃
6、主機(jī)重量:7㎏
7、外型尺寸:380×280×250(mm)
四、技術(shù)參數(shù):
1、供電電壓:AC220V±10% 50Hz±1
2、脈沖高壓輸出:15KV
3、磁場(chǎng)電壓輸出:1200V


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